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盘点20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件工温最高175℃

发布日期:2022-04-19 04:21   来源:未知   阅读:

  原标题:盘点20V到1700V全覆盖的国产MOSFET功率器件,工温最高175℃

  · 厂牌优势:专注于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展,,通过了ISO9001,ISO14001,IATF16949等认证,连续数年评为中国半导体功率器件十强企业。

  · 厂牌优势:专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商,其前身为长电科技(全球知名的集成电路封装测试企业)分立器件部门。主营产品包括二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等,拥有15000多个产品系列和型号,广泛应用于各消费类、工业类电子领域。同时公司还为汽车电子和军工领域提供专业化产品和服务。

  · 主要产品:整流二级管芯片、轴型硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、表面安装玻封和表面安装塑封二极管、金属玻璃封装大功率整流管等。

  · 厂牌优势:全球最大的二极管生产商之一,每月产量可达2.5亿只,占世界产量的8%-9%。中国唯一一家拥有最多TR1汽车客户认证的企业。主营二极管&MOS,包含电流(0.2A~40A)、电压(20V~200V)全系列大小功率产品,品类齐全,封装多样,漏电流小;具体自主晶圆供应能力;以及车规级功率器件,包括小信号开关二极管,小信号稳压管,肖特基二极管,TVS二极管,整流二极管;产品都符合AECQ101标准,通过了IATF16949,ISO9001认证。

  · 厂牌优势:致力于新产品研发,产品自主率95%以上,现有Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super JunctionMOSFET、LED Driver四大类产品线、数百种型号;累计获得国家发明专利22 项尤其新一代SGT产品技术处于行业领先水平。在适配器快充、移动电源、车充、直流电机、新能源、太阳能光伏逆变、锂电保护等应用领域均占有领先地位。

  · 厂牌优势:致力于开发以碳化硅为核心、高性价比的功率半导体器件和驱动控制IC产品。其SiC MOSFET第一轮流片,为中国第一批国产6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圆。瞻芯电子(InventChip)是中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟会员单位,荣获2019年PSIC最具发展潜力企业。

  · 厂牌优势:全球领先的半导体分离器件制造商,拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产,旗下半导体分离器件二极体类在全球市场排名前十。

  · 厂牌优势:紫光集团旗下紫光国芯微电子股份有限公司(简称“紫光国微”)半导体产业链中的核心企业之一,专注于先进半导体功率器件的设计研发、芯片加工和封装测试。产品涵盖500V-1200V高压超结MOSFET、20V-150V中低压SGT/TRENCH MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半导体功率器件。交期12-28周。

  中国第三代半导体行业领军企业,碳化硅功率器件领导品牌——基本半导体(BASiC)

  · 厂牌优势:基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管(电压规格650V-1700V;电流2A~40A)、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试。

  国内领先的第三代半导体功率器件设计公司:派恩杰(PN Junction)

  · 厂牌优势:获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂代工支持,全球Top5封装厂代工支持,实现开模量产与技术升级,成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件,并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS,填补国内技术产业空白。

  · 厂牌优势:公司拥有全自主知识产权,已申请25项专利技术,采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品,并建立起车规级的SiC MOS模块工厂,可为客户提供整套应用解决方案。

  · 主要产品:碳化硅器件(碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二极管)、MOS管、二极管、可控硅

  · 厂牌优势:2010年开始研发生产第三代半导体SiC元器件,其设计、工艺和性能居世界前列。产品主要包括碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二极管,电压主要是650V和1200V;MOS管,采用先进的沟槽栅工艺技术实现功率密度最大化,从而降低电流传导过程中的导通损耗。击穿电压覆盖-200V~650V,配合先进的封装技术,提供100mA~250A的电流范围。

  · 厂牌优势:致力于第三代半导体和先进硅器件的关键共性技术工程化研发,主攻碳化硅、氮化镓和先进硅器件三个技术方向,研制出国内领先的650V和 1200V 的肖特基二极管产品共23款,1200V的MOSFET产品共5款,同时具备40-650V电压等级的电力电子器件和面向5G和特种频段的微波功率器件研发能力。

  · 厂牌优势:专注于可降低切换损耗适用于高频操作的超低电容电荷碳化硅肖特基二极管及碳化硅MOSFET。全系列采用寄生电感小、小型化、表面贴焊的DPAK(TO-252) 及 QFN5x6封装,可节省PCB面积及自动化上件检测,适合有小型化高功率密度需求,如快充头等应用。交期16周。

  · 厂牌优势:中国电子科技集团公司第五十五研究所,拥有国内唯一的“宽禁带半导体电力电子器件实验室”。是国内最早建立4、6英寸SiC生产线片/年,公司通过了GB/T 19001、ISO9001等行业认证。

  · 厂牌优势:集半导体研发、封装、检测(主要二三极管、 MOS管、IC集成电路)的高新技术有限公司,致力于为全球电子制造企业提供优质、高效、专业的半导体元器件需求解决方案。提供的包括中低压MOSFET(VDSS:20V~150V)和高压MOSFET(VDSS:500V~900V); 自主晶圆设计能力,多种外形封装,中低压MOSFET 12英寸 8英寸、高压MOSFET 6英寸;中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺,高压MOSFET采用平面工艺;超低内阻的芯片设计。月产能16亿PCS 高压MOS交期4-8周,中低压MOS 1-2周交期。

  · 主要产品:MOS类产品以N沟道为主,涉及20V,30V,50V,650V系列

  · 厂牌优势:专注于二三极管、桥式整流器、MOS管的研发生产,拥有自主品牌“GK,GW”,建有12条芯片封装及测试线,年产各类封装的半导体整流桥、贴片二极管、直插二极管、MOS管等产品达100亿颗。

  · 厂牌优势:致力于功率半导体元器件研发与销售的国家高新技术企业,通过ISO9001质量体系认证。铨力依靠来自台湾、美国硅谷及内地的顶尖技术精英,加强自主研发创新能力,为行业提供性能更加卓越的产品,已经成为新能源、电脑、网通、手机、电池、消费性产品等行业的长期合作伙伴,产品远销海内外。

  · 主要产品:TVS(瞬态电压抑制管)、肖特基二极管、快恢复二极管、桥堆二极管、MOSFET、SiC二极管等

  · 厂牌优势:分离式器件研发生产的功率半导体制造商,面向工业和汽车市场,自有晶圆厂,完整封装产线。MOSFET电压覆盖到20V至200V;主营贴片封装,采用沟槽工艺,自主设计晶圆;产品采用8寸芯片,具有低阻抗、大电流的特性,产品系列含车规认证AEC-Q101。

  · 厂牌优势:拥有晶圆、封装、器件测试 和应用设计等多领域的核心技术,致力于新型元器件研制、销售和应用解决方案设计,已累计获得约80多项国家授权发明专利。其中中低压MOSFET的VRMM:30V~150V;IF:10A—230A;高压MOSFET:VRMM:200V~900V;IF:2A—20A。

  专注于半导体模拟芯片和分立器件封装、测试、OEM代工的综合性企业——合科泰电子(HKT)

  · 厂牌优势:采用欧盟生产标准,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,并获得国家发明专利,实用新型专利等多项资质。

  · 厂牌优势:致力于POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前8 英寸月产能12000片,6寸产能10000片,是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线,技术骨干均来自SAMSUNG(三星)和FAIRCHILD(仙童)。美浦森(Maplesemi)2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可,成为韩国首家跻身全球SiC MOSFET顶尖制造商。

  MOSFET作为不可替代的基础性产品,被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下, MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高,无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商, 可提供20V-1700V,包含低压,中压,高压MOSFET,工作温度最高可达175℃,推动研发项目快速国产化选型。626969澳门免费资料大全